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【日经BP社报道】日本新能源产业技术开发机构（NEDO）与日本金属材料研究中心共同实施的"21世纪光明计划"日前成功地开发出了新型GaN系紫外光发光二极管（紫外光LED），外部量子效率高达43%。发光波长为405nm。作为GaN类LED，"其量子效率堪称世界最高水平"（该计划负责人日本山口大学工程系教授田口常正）。过去作为研究开发水平最高也仅为35%左右，正在供货的GaN类LED为28%左右。

21世纪光明计划于2002年3月曾经发布了外部量子效率为31%的紫外光LED。此次使用在上次发表的紫外光LED中的蓝宝石底板上形成GaN类半导体的技术"LEPS"，对GaN类半导体的制造工艺进行了改良。

LEPS是指将蓝宝石底板表面加工成条纹状，然后在上面制备GaN类半导体的技术。与过去那种不对蓝宝石底板表面进行加工的方法相比，可以将造成量子效率低下的主要原因----结晶缺陷降低到原来的1/5～1/3。"通过对条纹的宽度和深度进行优化，提高了内部量子效率及外部量子效率"（山口大学的田口教授）。

21世纪光明计划准备将此次的紫外光LED用于照明用白色LED。如果与可将紫外光的波长转换成红色光、绿色光和蓝色光的萤光材料配合使用，就能够实现发光效率为60lm/W～80lm/W的白色LED。2003年春就能够使用此次的紫外光LED试制出发光效率超过601m/W的白色LED。这样其发光效率就可以与照明设备中所使用的萤光管相匹敌，为超越萤光管铺平道路。据称目前已经成功地试制出发光效率401m/W的白色LED。